Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW50R399CPFKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW50R399CPFK
IPW50R399CPFKSA1 Hakkında
IPW50R399CPFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 560V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 9A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 399mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On) ile enerji kaybını sınırlar. TO-247-3 paketlemesiyle güç uygulamalarında montajı kolaylaştırır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontroller, anahtarlamah güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılabilir. 83W maksimum güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok