Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW50R299C
IPW50R299CPFKSA1 Hakkında
IPW50R299CPFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'i olup 550V drain-source voltajında 12A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş voltajında 299mOhm maksimum on-direnci ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunmaktadır. 104W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, 31nC gate charge ve 1190pF input kapasitansi değerleriyle hızlı anahtarlama devrelerine uygundur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Güç kaynakları, motor denetleyicileri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde yer alan bu transistör, yüksek frekans işletim gerektiren uygulamalara destek verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok