Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPW50R190CEFKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPW50R190CEFKSA1
IPW50R190CEFKSA1 Hakkında
IPW50R190CEFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisine dayalı bu bileşen, 18.5A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 190 mOhm maksimum on-direnci (13V gate geriliminde) ile enerji kaybını minimalize eder. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, switching uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 47.2 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1137 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok