Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPUH6N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPUH6N03LB
IPUH6N03LB G Hakkında
IPUH6N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 6.3mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gövde sıcaklığında 83W güç dissipasyonu kapasitesine sahip olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile kontrol edilebilir ve 2V threshold voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok