Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU95R750P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU95R750P7AKMA1
IPU95R750P7AKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPU95R750P7AKMA1, 950V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 73W güç dağıtabilir ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 750mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 paketinde sunulan bu MOSFET, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile uyumlu ve 3.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 712 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok