Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU95R3K7P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU95R3K7P7
IPU95R3K7P7AKMA1 Hakkında
IPU95R3K7P7AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 950V drain-source gerilim ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve yüksek gerilim anahtarlaması gereken sistem tasarımlarında kullanılır. 3.7Ω maksimum on-state direnci ve düşük gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 22W güç tüketebilir. Elektrik beslemesi, motor kontrolü ve industrial uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok