Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU95R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU95R2K0P7AKMA1
IPU95R2K0P7AKMA1 Hakkında
IPU95R2K0P7AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 950V drain-source gerilim ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. 2Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir. Gate charge değeri 10nC olup hızlı anahtarlama özelliği sunar. 10V drive voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok