Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU95R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU95R1K2P7
IPU95R1K2P7AKMA1 Hakkında
IPU95R1K2P7AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 950V Drain-Source gerilim dayanımı ve 6A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, invertörler, güç kaynakları ve motor sürücülerinde yer almaktadır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ve 52W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok