Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R900P7
IPU80R900P7AKMA1 Hakkında
IPU80R900P7AKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 900mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Güç kaynakları, motor kontrolü, endüstriyel sürücüler ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir ve maksimum 45W güç tüketebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok