Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R2K8CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R2K8CEBKMA1
IPU80R2K8CEBKMA1 Hakkında
IPU80R2K8CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. 2.8Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponen, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlanmış güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Through-hole montaj özelliği mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok