Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R2K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R2K4P7
IPU80R2K4P7AKMA1 Hakkında
IPU80R2K4P7AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 2.4Ohm @ 800mA, 10V RDS(on) değeri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, 22W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok