Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R2K0P7
IPU80R2K0P7AKMA1 Hakkında
IPU80R2K0P7AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3A sürekli dren akımı ve 2Ω maksimum RDS(On) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 9 nC gate charge ve 175 pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 940mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok