Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R1K4CEBKMA1
IPU80R1K4CEBKMA1 Hakkında
IPU80R1K4CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 3.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 paket tipiyle sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında, motor kontrol devrelerinde ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmaktadır. 10V gate sürücü voltajında 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri sunan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 63W maksimum güç harcaması ile tasarlanan bu MOSFET, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok