Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R1K2P7
IPU80R1K2P7AKMA1 Hakkında
IPU80R1K2P7AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürüş geriliminde 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate eşik gerilimi 3.5V @ 80µA'dır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel inverter devreleri gibi alanlarda kullanılır. 37W maksimum güç yayımı kapasitesi bulunmaktadır. Gate yükü 11nC @ 10V, giriş kapasitesi ise 300pF @ 500V'dur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok