Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R1K0CEBKMA1
IPU80R1K0CEBKMA1 Hakkında
IPU80R1K0CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 5.7A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 950mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 83W güç tüketme kapasitesine sahiptir. İçyapısı Metal Oxide teknolojisine dayalıdır. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, switchmode güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Maksimum gate gerilimi ±20V, kapı şarj miktarı 31nC @ 10V'tur. Bileşen Digi-Key'de sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok