Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU80R1K0CEA
IPU80R1K0CEAKMA1 Hakkında
IPU80R1K0CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, inverter ve motor sürücü tasarımlarında yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 950mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 83W maksimum güç tüketim özelliğine sahip bu MOSFET, endüstriyel ve güç yönetimi uygulamaları için tasarlanmıştır. Through-hole montajı sayesinde konvansiyonel PCB'lere entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-341 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok