Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU78CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU78CN10N
IPU78CN10N G Hakkında
IPU78CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 78mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 31W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilmesini sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok