Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU64CN10N
IPU64CN10N G Hakkında
IPU64CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile tasarlanmış bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan transistör, 64mΩ maksimum açık durum direnci (RDS(on)) ile verimli performans sağlar. 9nC gate charge ve 569pF giriş kapasitanı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama güç kaynaklarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 569 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok