Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R950C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R950C6
IPU60R950C6BKMA1 Hakkında
IPU60R950C6BKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 4.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 1.5nC düşük kapı yükü ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile uzun ömürlü sistemler için uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok