Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R2K1CEAKMA1
CONSUMER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R2K1CEAKMA1
IPU60R2K1CEAKMA1 Hakkında
IPU60R2K1CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 3.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 2.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate voltajı aralığında çalışan ve -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında operasyonel olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi devreleri gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok