Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R2K0C6
IPU60R2K0C6BKMA1 Hakkında
IPU60R2K0C6BKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemlerinde ve yüksek voltajlı uygulamalarda tercih edilir. 10V gate sürücü geriliminde 2Ohm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Maximum 22.3W güç üretebildiği için uygun soğutma tasarımı gerektiren uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 22.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 760mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok