Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPU60R2K0C6AKMA1

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IPU60R2K0C6AKMA1

IPU60R2K0C6AKMA1 Hakkında

Rochester Electronics tarafından üretilen IPU60R2K0C6AKMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajında 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-251-3 paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 2Ω maksimum On-Resistance değeri ile güç uygulamalarında düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 22.3W güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Üretim durumu itibariyle kullanımdışı (obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 22.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 760mA, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok