Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R1K5CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R1K5
IPU60R1K5CEBKMA1 Hakkında
IPU60R1K5CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 3.1A sürekli drain akımı kapasitesi, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. Gate charge değeri 9.4nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör uygulamaları ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında çalışır ve 28W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok