Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R1K4C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R1K4C6
IPU60R1K4C6AKMA1 Hakkında
IPU60R1K4C6AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel Power MOSFET'tir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 10V kapı geriliminde çalışan transistör, düşük kaçış akımı ve hızlı anahtarlama özellikleriyle dikkat çekmektedir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir işlem gösteren IPU60R1K4C6AKMA1, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok