Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R1K0CEBKMA1
IPU60R1K0CEBKMA1 Hakkında
IPU60R1K0CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-251 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 1Ω (Rds On) maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı, geniş ortam koşullarında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj özelliği sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok