Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R1K0CEA
IPU60R1K0CEAKMA2 Hakkında
IPU60R1K0CEAKMA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 4.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 1Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate Charge değeri 13nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve koruma sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -40°C ile +150°C arasında güvenli çalışır ve 61W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 61W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok