Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU60R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU60R1K0CEA
IPU60R1K0CEAKMA1 Hakkında
IPU60R1K0CEAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1Ohm (10V, 1.5A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Gate charge 13nC @ 10V olup hızlı anahtarlama özellikleri sunar. İnput kapasitesi 280pF @ 100V'dir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Üretimi durdurulmuş (Obsolete) bir bileşen olup, yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok