Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R950CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R950CEBKMA1
IPU50R950CEBKMA1 Hakkında
IPU50R950CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 950mΩ maksimum on-direnci ile enerji verimlidir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok