Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R950CEAKMA2
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R950CE
IPU50R950CEAKMA2 Hakkında
IPU50R950CEAKMA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketlemesiyle monte edilir. 950mΩ maksimum RDS(on) değeri ile 13V gate sürücü geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Endüstriyel, telekomünikasyon ve güç dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10.5nC gate yükü ve 231pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok