Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R950CE
IPU50R950CEAKMA1 Hakkında
IPU50R950CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Vdss derecelendirmesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4.3A sürekli besleme akımı kapasitesi ve 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile power switching ve kontrol devrelerinde yer alır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok