Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R3K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R3K0CE
IPU50R3K0CEAKMA1 Hakkında
IPU50R3K0CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim aralığında çalışabilen bu bileşen, maksimum 1.7A sürekli drain akımı sunmaktadır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, güç denetleme, anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılmaktadır. 3Ω maksimum açık kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. 26W maksimum güç dissipasyonı ile orta güç uygulamalarında uygulanabilir. Üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok