Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R2K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R2K0CE
IPU50R2K0CEAKMA1 Hakkında
IPU50R2K0CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2.4A sürekli dren akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletkendir. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13V gate sürüş geriliminde 2Ohm maksimum RdsOn direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 33W maksimum güç tüketebilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 6nC gate yükü ve 124pF giriş kapasitanası ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 124 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 600mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok