Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU50R1K4CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU50R1K4CEB
IPU50R1K4CEBKMA1 Hakkında
IPU50R1K4CEBKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 3.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate eşik gerilimi 3.5V olup, ±20V maksimum gate gerilim aralığında çalışır. 8.2nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımlanmıştır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışma özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 178 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok