Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU13N03LA
IPU13N03LA G Hakkında
IPU13N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 30A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 12.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge 5V'de 8.3nC ve gating kapasitanı 15V'de 1043pF olan bu MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V sürüş voltajlarında optimize edilmiştir. Ürün kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1043 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok