Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPU135N03L G

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IPU135N03L

IPU135N03L G Hakkında

IPU135N03L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 13.5mOhm'dur ve TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında çalışabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 31W maksimum güç tüketimi özellikleriyle düşük-orta güçlü anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi ve şarj kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu ürün üretimden kaldırılmış olup, mevcut stoklar tükene kadar temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok