Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU10N03LA
IPU10N03LA G Hakkında
IPU10N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük gerilim düşümü sağlar. TO-251-3 paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, LED sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 52W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok