Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU10N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU10N03LA
IPU10N03LA Hakkında
IPU10N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ve 30A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, 10.4mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. Gate charge değeri 11nC (5V'da) olan ve Vgs(th) 2V olan bu transistör, hızlı anahtarlama ve düşük enerji tüketimi gerektiren tasarımlarda tercih edilir. Bileşen üretimi durdurulmuş olup (Obsolete), stok kontrolü önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1358 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok