Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU103N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU103N08N3
IPU103N08N3 G Hakkında
IPU103N08N3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10.3mΩ düşük on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 100W güç saçıtabilme kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 35nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.3mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok