Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU09N03LB
IPU09N03LB G Hakkında
IPU09N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 50A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 9.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 58W güç dağıtabilir. 13nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun hale getirir. Endüstriyel, otoomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok