Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPU090N03L G

MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
IPU090N03L

IPU090N03L G Hakkında

IPU090N03L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC konverterlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 42W maksimum güç harcaması derecesinde tasarlanmıştır. Gatede maksimum ±20V gerilim uygulanabilir. Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok