Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPU06N03LAGXK
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPU06N03LA
IPU06N03LAGXK Hakkında
IPU06N03LAGXK, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj desteği ile 50A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, TO-251-3 paketinde sunulmaktadır. 5.9mOhm maksimum on-state direnci (Rds on) sayesinde düşük güç kaybı ile çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan IPU06N03LAGXK, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilebilir. Gate charge değeri 22nC olup, hızlı anahtarlamaya uygun tasarımlanmıştır. Not: Ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok