Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG210N25NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG210N25NM3
IPTG210N25NM3FDATMA1 Hakkında
IPTG210N25NM3FDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 250V N-Channel Trench MOSFET transistördür. Surface mount PG-HSOG-8 paketinde sunulan bu bileşen, 7.7A sürekli drain akımı (Ta'da) ve 21mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı ve 4V eşik voltajı ile kontrol edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta), 77A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 125 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 69A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok