Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG111N20NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG111N20NM3
IPTG111N20NM3FDATMA1 Hakkında
IPTG111N20NM3FDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 200V N-Channel Trench MOSFET transistörüdür. PG-HSOG-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10.8A sürekli dren akımı (Ta) ve 108A (Tc) kapasitesine sahiptir. 11.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan cihaz, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, inverterler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 81nC gate charge ve 7000pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Ta), 108A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok