Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG025N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG025N10NM5ATMA1
IPTG025N10NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTG025N10NM5ATMA1, 100V drain-source voltajına sahip N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, sürekli 27A (Ta) / 206A (Tc) akım kapasitesine ve 2.5mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge karakteristiği 120nC ile düşük sürüş gereksinimlerine uygunken, ±20V Vgs toleransı geniş uygulama esnekliği sağlar. PG-HSOG-8 paketinde sunulan bu FET, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 3.8W (Ta) / 214W (Tc) güç dağıtma kapasitesi yüksek verimli devreler için gerekli tümleştirmeyi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 206A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 150A 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 158µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok