Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG025N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG025N08NM5
IPTG025N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTG025N08NM5ATMA1, 80V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak üretilen bu bileşen, 28A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesine sahiptir. 2.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük konularma kaybı sağlar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS) ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 8-pin PG-HSOG-8 yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel uygulamalara elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 184A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 150A 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok