Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG018N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG018N10NM5ATMA1
IPTG018N10NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTG018N10NM5ATMA1, 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış bir N-Channel Power MOSFET transistörüdür. TRENCH teknolojisini kullanan bu bileşen, 32A (Ta) ile 273A (Tc) arasında sürekli drenaj akımı sunmaktadır. Düşük on-dirençi (Rds On) değeri olan 1.8mΩ @ 150A, 10V nedeniyle güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Surface mount PG-HSOG-8 paketlemesiyle sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 152nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitanslı tasarımı, anahtarlama uygulamalarında hızlı komutasyon özelliği verir. DC-DC konverterler, motor kontrol, enerji yönetimi ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 273A Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 202µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok