Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG018N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG018N08NM5
IPTG018N08NM5ATMA1 Hakkında
IPTG018N08NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu FET, 80V drain-source gerilimi ve 32A (Ta) / 253A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.8mOhm (10V, 150A koşullarında) düşük on-direnç ile güç kaybını minimize eder. PG-HSOG-8 paketinde sunulan bileşen, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi, motor kontrolü ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 3.8W (Ta) / 231W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi optimize edilmiş tasarımdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 253A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 159µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok