Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG014N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG014N10NM5
IPTG014N10NM5ATMA1 Hakkında
IPTG014N10NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, 37A (Ta) veya 366A (Tc) kesintisiz drain akımı sağlar. 1.4mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunarak verimli güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Surface Mount PG-HSOG-8 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve yüksek akımlı güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi, geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 366A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok