Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG011N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG011N08NM5ATMA1
IPTG011N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTG011N08NM5ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 1.1mOhm (10V, 150A) maksimum Ron değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. PG-HSOG-8 yüzey montajlı pakette sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek anahtarlama hızı ve düşük kapasitans özellikleri sayesinde güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücü ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 408A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok