Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTG007N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTG007N06NM5
IPTG007N06NM5ATMA1 Hakkında
IPTG007N06NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 60V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 53A (Ta) / 454A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 0.75mΩ (10V, 150A'de) düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. PG-HSOG-8 SMD paket içinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C'dir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç dağıtım sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 261nC gate charge ve 21000pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Ta), 454A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 261 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok